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太陽(yang)能電池板的(de)選擇：

目前市(shi)面(mian)上(shang)的太陽(yang)能電(dian)(dian)池分為非晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)和晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)體硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)。其中晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)體硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)又可(ke)(ke)以分為多(duo)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)和單(dan)(dan)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)。從三種(zhong)材(cai)(cai)料(liao)的光電(dian)(dian)轉換效率來看(kan)是：單(dan)(dan)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)（可(ke)(ke)達(da)１７％）>多(duo)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)（１２～１５％）>非晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)（５％左(zuo)右）。晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)體硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)（單(dan)(dan)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)和多(duo)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)）的在(zai)弱(ruo)光下基本上(shang)不會有電(dian)(dian)生，非晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)弱(ruo)光性好(hao)。所(suo)以綜合來看(kan)，宜(yi)用(yong)單(dan)(dan)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)或多(duo)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)太陽(yang)能電(dian)(dian)池材(cai)(cai)料(liao)，又考慮單(dan)(dan)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)材(cai)(cai)料(liao)價格昂貴，所(suo)以一般(ban)選用(yong)多(duo)晶(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)(gui)材(cai)(cai)料(liao)。

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發電原理：

光(guang)伏(fu)發電(dian)(dian)是(shi)利(li)用半導體界面的(de)光(guang)生伏(fu)應而將光(guang)能直接轉變為(wei)電(dian)(dian)能的(de)一(yi)種技(ji)(ji)術。這種技(ji)(ji)術的(de)關(guan)鍵元件(jian)是(shi)太陽(yang)能電(dian)(dian)池。太陽(yang)能電(dian)(dian)池經(jing)過串聯后進行封裝保(bao)護可形成(cheng)大(da)面積的(de)太陽(yang)電(dian)(dian)池組(zu)件(jian)，再配合(he)上功率控制器等部件(jian)就形成(cheng)了光(guang)伏(fu)發電(dian)(dian)裝置。國(guo)大(da)陸多晶硅生產獲取的(de)利(li)潤(run)(run)在終電(dian)(dian)池組(zu)件(jian)產品(pin)利(li)潤(run)(run)總額中的(de)比例較高(gao)，約達到52%；電(dian)(dian)池組(zu)件(jian)生產的(de)利(li)潤(run)(run)占(zhan)比約為(wei)18%；而電(dian)(dian)池片和(he)硅片生產的(de)利(li)潤(run)(run)占(zhan)比分別約為(wei)17%和(he)13%。

對太陽能相關進行(xing)主題檢(jian)索，

分(fen)析年(nian)(nian)度申請(qing)量變(bian)化趨(qu)勢(shi)，如(ru)圖2所示(shi)。在1985年(nian)(nian)之前，太(tai)陽能(neng)相關只是零星分(fen)布，年(nian)(nian)度申請(qing)量未突(tu)(tu)破(po)百件，屬于摸索期。從(cong)1985年(nian)(nian)起，申請(qing)量激(ji)(ji)增至200件，并(bing)(bing)隨(sui)時呈現(xian)緩(huan)慢增長(chang)的(de)(de)態(tai)勢(shi)。到(dao)2006年(nian)(nian)，申請(qing)量接近1萬(wan)件。2007年(nian)(nian)，太(tai)陽能(neng)申請(qing)量突(tu)(tu)破(po)萬(wan)件，并(bing)(bing)加速上(shang)升，到(dao)2017年(nian)(nian)達到(dao)8.8萬(wan)件的(de)(de)。綜合申請(qing)趨(qu)勢(shi)，可(ke)以看出，因環境(jing)減排(pai)壓力(li)、能(neng)源危(wei)機(ji)、技術進步推動(dong)、光伏發(fa)電成本降低(di)及各國政府(fu)的(de)(de)激(ji)(ji)勵(li)政策驅動(dong)等因素，光伏太(tai)陽能(neng)發(fa)電應用市(shi)場(chang)迅速迅猛，成為的(de)(de)焦點。