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太(tai)陽能(neng)發電廠-烈陽光伏

光伏太(tai)陽能發電量為什么變(bian)少了

遇到(dao)光伏太陽能發電量較低(di)，特(te)別是比(bi)前一(yi)天低(di)很(hen)(hen)多(duo)的情況下呢，在排除(chu)天氣影響的條件下，很(hen)(hen)有(you)可能是設備(bei)故障的原因或是電站有(you)遮擋。

首(shou)先排除(chu)設備故障的(de)可(ke)(ke)(ke)能(neng)，這個首(shou)先可(ke)(ke)(ke)以看電站的(de)監控系統是(shi)否(fou)有報障提示(shi)，如(ru)果有，根據保障提示(shi)提交(jiao)給對應(ying)的(de)技(ji)術人(ren)員(yuan)解決(jue)即可(ke)(ke)(ke)，小問(wen)(wen)題也可(ke)(ke)(ke)以在技(ji)術人(ren)員(yuan)的(de)指導(dao)下自行調整解決(jue)，避免(mian)產生不必(bi)要的(de)額外成本。如(ru)果機器(qi)沒有異常(表面和(he)內(nei)在)，那(nei)也有可(ke)(ke)(ke)能(neng)是(shi)數據庫(ku)在更(geng)新，導(dao)致一些數據會有所混亂，可(ke)(ke)(ke)以聯(lian)系下技(ji)術員(yuan)詢(xun)問(wen)(wen)情(qing)況(kuang)，如(ru)果都不是(shi)上述情(qing)況(kuang)，那(nei)就需(xu)要專業的(de)技(ji)術人(ren)員(yuan)到(dao)現(xian)場(chang)進行診(zhen)治了(le)。

第(di)二(er)，排除外(wai)在(zai)因素影響。光伏(fu)太陽能(neng)發(fa)電量低的(de)原因可能(neng)是光伏(fu)板(ban)(ban)上(shang)有(you)外(wai)來遮擋物，比如在(zai)板(ban)(ban)子上(shang)累(lei)積已久(jiu)的(de)灰塵鳥(niao)糞(fen)之類(lei)的(de)，一旦發(fa)現就要及(ji)時(shi)清理，避免因為這(zhe)些(xie)影響發(fa)電量。

第三，太陽的輻射(she)(she)(she)量正是影(ying)響光伏太陽能發電量的重要(yao)因素，所以在冬(dong)天這個特(te)殊(shu)時期，發電量較(jiao)低(di)也(ye)是在所難免(mian)。大(da)家(jia)也(ye)不要(yao)太過擔心，太陽輻射(she)(she)(she)量每年投射(she)(she)(she)到地球上(shang)每個地方的輻射(she)(she)(she)量是不會有(you)太大(da)波動，還(huan)是能達到預期發電量和收益的。

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視頻作者：合肥烈陽光伏技術有限公司

太(tai)陽能發(fa)(fa)電板未來發(fa)(fa)展(zhan)方向

單晶硅和多晶硅在太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)利用(yong)上也發揮(hui)著(zhu)巨大的作用(yong)。雖然從目(mu)前來(lai)講，要使(shi)太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)發電(dian)具有較大的市場，被廣大的消費(fei)者接(jie)受，就必須提高太(tai)陽(yang)(yang)電(dian)池(chi)的光電(dian)轉(zhuan)換效(xiao)率，降低生產成本。從目(mu)前國際太(tai)陽(yang)(yang)電(dian)池(chi)的發展過程可以看(kan)出其發展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶(dai)狀硅、薄(bo)膜(mo)材料（包(bao)括微晶硅基(ji)薄(bo)膜(mo)、化(hua)合物基(ji)薄(bo)膜(mo)及染料薄(bo)膜(mo)）。

從工(gong)業(ye)化發(fa)展來看，由單晶(jing)(jing)向(xiang)多晶(jing)(jing)硅(gui)和(he)薄膜方(fang)向(xiang)發(fa)展，主要原因為：

A.可(ke)供應太(tai)陽電池的頭尾料愈(yu)來愈(yu)少；  

B.對太陽(yang)電池來(lai)講，方形基片(pian)更合算，通(tong)過澆鑄法和直接(jie)(jie)凝固法所獲(huo)(huo)得的(de)多晶(jing)硅(gui)可直接(jie)(jie)獲(huo)(huo)得方形材(cai)料；  

C.多晶(jing)硅的生(sheng)產(chan)工(gong)藝不斷(duan)取得(de)進展，全自動澆鑄爐(lu)每(mei)生(sheng)產(chan)周期（50小時）可生(sheng)產(chan)200公斤以上的硅錠，晶(jing)粒的尺寸(cun)達到厘米(mi)級；

D.由于近十(shi)年單(dan)晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)工(gong)藝的(de)研究與(yu)發展很快，其中工(gong)藝也被應(ying)用于多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)電(dian)池(chi)的(de)生產(chan)，例如選擇腐(fu)蝕發射結、背表面場、腐(fu)蝕絨面、表面和體鈍(dun)化、細(xi)金屬柵(zha)電(dian)極，采用絲網印(yin)刷技術可(ke)(ke)使柵(zha)電(dian)極的(de)寬度(du)降低到50微(wei)米，高度(du)達到15微(wei)米以上，快速熱退火(huo)技術用于多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)的(de)生產(chan)可(ke)(ke)大大縮短工(gong)藝時間，單(dan)片熱工(gong)序時間可(ke)(ke)在(zai)(zai)一分鐘之內完成(cheng)，采用該工(gong)藝在(zai)(zai)100平(ping)方厘米的(de)多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)(gui)片上作出的(de)電(dian)池(chi)轉(zhuan)換效(xiao)率超(chao)過(guo)14％。

太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)(neng)發(fa)(fa)電(dian)系統表面(mian)上看是白天將(jiang)光能(neng)(neng)(neng)(neng)轉換成電(dian)能(neng)(neng)(neng)(neng)，晚上再將(jiang)儲存(cun)的能(neng)(neng)(neng)(neng)供負(fu)載使用。這一(yi)太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)(neng)發(fa)(fa)電(dian)技術無污染，無噪(zao)音，設計思路簡(jian)單，安裝簡(jian)便(bian)，太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)(neng)(neng)(neng)發(fa)(fa)電(dian)系統的應用范(fan)圍(wei)和經濟效益，在國家(jia)電(dian)網電(dian)力(li)無法(fa)輸送的地(di)區(qu)更容(rong)易發(fa)(fa)展，而且施工周期短，經濟效益非常高。

太陽能發電系統的設計(ji)需要考(kao)慮的六大因素(su)：

　　1、太陽能發(fa)電系統在哪里使(shi)用？該地(di)日光輻射情況如何？

　　2、系統的負載功率多大？

　　3、系統(tong)的輸(shu)出電壓是多(duo)少，直流還是交流？

　　4、系統(tong)每天需要工作多少(shao)小時？

　　5、遇到陰雨(yu)天氣，該系統需連續(xu)供電多少天？

　　6、負(fu)載的情況(kuang)，純電阻性(xing)、電容(rong)性(xing)還是電感性(xing)，啟動電流多大(da)？